Построение семейства входных характеристик транзистора

I_б = f (U_бэ) при U_кэ = const.

Произвести измерения зависимости тока базы от прямого напряжения база-эмиттер при двух фиксированных значениях напряжения коллектор-эмиттер: U_кэ = 1, 0 В; 10 В.

Учитывая нелинейный характер входных характеристик транзистора, их построение удобно производить, задавая значения тока базы и измеряя соответствующие значения напряжения база-эмиттер, однако при построении графиков в качестве независимой величины (аргумента) следует брать входное напряжение. Результаты измерений свести в табл.2.

Таблица 2

Uкэ, В	Iб, мА	0, 01	0, 02	0, 03	0, 05	0, 1	0, 15	0, 2	0, 4	0, 6	0, 8	1, 0
1, 0	Uбэ, В

Построить графики входных ВАХ.

Определить в нескольких точках входной характеристики значения входного дифференциального сопротивления транзистора (параметр h_11э) по формуле

в окрестности точек при I_б = 0, 02 мА; 0, 1 мА; 0, 5 мА и напряжении U_кэ = 10 В.

Построение семейства выходных характеристик транзистора

I_к = f (U_кэ) при I_б = const.

Произвести измерения зависимости тока коллектора от напряжения коллектор-эмиттер при четырех фиксированных значениях тока базы.

При построении выходных характеристик фиксированные значения тока базы следует устанавливать через равные интервалы, например: 0, 05 мА; 0, 1 мА; 0, 15 мА; 0, 2 мА и т.д.

На начальном, крутом участке выходной характеристики напряжение U_кэ следует изменять через малые интервалы, а на пологом участке насыщения давать большие приращения (табл.3).

Таблица 3

Iб, мА	Uкэ, B		0, 1	0, 2	0, 5
0, 05	Iк, мА
0, 10
0, 15
0, 20

Построить графики выходных ВАХ.

Определить в нескольких точках значения статического (b) и дифференциального (h_21э) коэффициентов передачи тока базы при U_кэ = 2 В; 6 В; 10 В, а также выходной проводимости h_22э.

Статический коэффициент передачи тока базы определяется в начальной точке пологого участка выходной характеристики по формуле:

а дифференциальный коэффициент – на пологих участках:

Выходная проводимость определяется на пологом участке выходной характеристики по формуле:

Построение семейства передаточных характеристик транзистора

I_к = f (I_б ) при U_кэ = const.

Произвести измерения зависимости тока коллектора от тока базы при трех фиксированных значениях напряжения коллектор-эмиттер: 2 В; 6 В; 10 В. Результаты измерений свести в табл. 4.

Таблица 4

Uкэ, В	Iб, мА	0, 05	0, 1	0, 2	0, 3	0, 4	0, 5	0, 6	0, 7	0, 8
	Iк, мА

Построить графики передаточных характеристик.

Методические указания

На осях графиков характеристик транзистора необходимо указать единицы измерения и масштабы величин.

Примерный вид входной характеристики	Примерный вид семейства выходных характеристик

5. Контрольные вопросы

1. Объясните назначение эмиттерного и коллекторного переходов биполярного транзистора.

2. В каких режимах работают эмиттерный и коллекторный переходы в нормальной активной области транзистора? Какое напряжение (прямое или обратное) необходимо подать на каждый переход?

3. Как должны включаться источники питания в цепях входного и выходного электродов для транзисторов типа p-n-p и n-p-n в схемах с общей базой и с общим эмиттером?

4. Напишите уравнения тока коллектора биполярного транзистора для схем с ОБ и с ОЭ. Укажите связь между коэффициентами передачи тока α и β и примерные значения этих параметров.

5. Почему биполярный транзистор можно рассматривать как источник тока, управляемый током? Как это свойство транзистора отображается на его эквивалентной схеме?

6. В чем смысл дифференциального сопротивления коллекторной цепи? По каким характеристикам транзистора можно найти это сопротивление?

7. Какие соотношения между электрическими величинами (сигналами) отражает малосигнальная эквивалентная схема транзистора?

8. Каков физический смысл каждого из четырех h-параметров биполярного транзистора? По каким статическим ВАХ и каким образом можно определить эти параметры?

9. Укажите связь между h-параметрами и параметрами физической малосигнальной эквивалентной схемы транзистора для схемы с ОЭ.

Содержание отчета

Отчет о лабораторной работе должен содержать:

1) титульный лист;

2) цель исследований;

3) схему установки для проведения измерений;

4) таблицы результатов измерений входных, выходных и передаточных характеристик;

5) графики вольт-амперных характеристик;

6) значения основных параметров транзистора.

⇐ Предыдущая12345678910Следующая ⇒

Поделиться:

Популярное:

1. Cхема характеристики сустава
2. I. Общая характеристика непрямого остеогенеза
3. I. Общая характеристика общественных отношений
4. II. Психологическая характеристика
5. III.3.5. ХАРАКТЕРИСТИКА ИММУНГЛОБУЛИНОВ - АНТИТЕЛ
6. АБТЦ-2003. СТРУКТУРА, ХАРАКТЕРИСТИКИ, ОСОБЕННОСТИ ПОСТРОЕНИЯ.
7. Анализ товарооборота, его использование для характеристики показателей деятельности
8. АНАТОМО-ФИЗИОЛОГИЧЕСКАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА И ДИАГНОСТИКА БОЛЕЗНЕЙ КОНЕЧНОСТЕЙ
9. Анатомо-функциональная характеристика пищевода. Дивертикулы пищевода. Классификация, клиника, диагностика, лечение.
10. Арттерапия. Общая характеристика метода.
11. БИЛЕТ 36. Состав атомного ядра. Характеристики ядра: заряд, масса. Энергия связи нуклонов. Радиоактивность. Виды и законы радиоактивного излучения.
12. Биологическая характеристика объекта в связи со средой обитания и образом жизни