Эксперимент 3 - Получение ВАХ на экране осциллографа

⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 3Следующая ⇒

Напряжение стабилизации, определенное из вольтамперной характеристики, полученной при помощи осциллографа, U_СТАБ=__________.

Контрольные вопросы

1. Почему полупроводниковые стабилитроны изготавливаются из кремния?

2. Для чего необходимо балансовое сопротивление в схеме включения стабилитрона?

3. Что такое температурный коэффициент напряжения?

4. Объясните физический смысл основных параметров кремниевых стабилитронов?

5. Что такой пробой и виды пробоев?

6. Могут ли кремниевые стабилитроны работать в режиме теплового пробоя?

7. Влияет ли значение сопротивления нагрузки на степень стабилизации выходного напряжения стабилизатора?

8. Как изменяется напряжение стабилитрона U_СТ, когда ток стабилитрона становится ниже 20 мА?

9. Каково значение тока стабилитрона I_CT при входном напряжении 15В?

10. Каково значение тока стабилитрона I_CT при значении сопротивления R1=200 Ом?

11. Как изменяется напряжение U_СТ на выходе стабилизатора, при уменьшении сопротивления R1?

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3

ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

Цель работы: Исследование статических характеристик биполярного транзистора.

Приборы и элементы, используемые в лабораторной работе

Название	Графическое изображение
Биполярный транзистор 2N3904
Источник постоянного напряжения
Источники переменной ЭДС
Источник напряжения, управляемый током
Источник напряжения, управляемый напряжением
Осциллограф

3.1 Теоретические сведения

Исследуемая схема показана на рисунке 1. Статический коэффициент передачи тока определяется как отношение тока коллектора к току базы :

Коэффициент передачи тока определяется отношением приращения коллекторного тока к вызывающему его приращению базового тока:

Дифференциальное входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) определяется при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер. Оно может быть найдено как отношение приращения напряжения база-эмиттер к вызванному им приращению тока базы :

Рисунок 1

Дифференциальное входное сопротивление транзистора в схеме с ОЭ через параметры транзистора определяется следующим выражением:

где - распределенное сопротивление базовой области полупроводника,

- дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер, определяемое из выражения:

, где - постоянный ток эмиттера в миллиамперах.

Первое слагаемое в выражении много меньше второго, поэтому им можно пренебречь:

Дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер для биполярного транзистора сравнимо с дифференциальным входным сопротивлением транзистора в схеме с общей базой , которое определяется при фиксированном значении напряжения база-коллектор. Оно может быть найдено как отношение приращения к вызванному им приращению тока эмиттера:

Через параметры транзистора это сопротивление определяется выражением:

Первым слагаемым в выражении можно пренебречь, поэтому можно считать, что дифференциальное сопротивление перехода база-эмиттер приблизительно равно:

Порядок проведения экспериментов

Результаты всех измерений и осциллограммы занести в соответствующий раздел.

Эксперимент 1 - Определение статического коэффициента передачи тока транзистора

1) Собрать схему по рисунку1. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер, рассчитать статический коэффициент передачи транзистора .

2) Изменить номинал источника ЭДС до 2, 68В. Включить схему. Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер. По полученным результатам подсчитать коэффициент .

3) Изменить номинал источника ЭДС до 5В. Запустить схему. Записать результаты измерения тока коллектора, тока базы и напряжения коллектор-эмиттер. По полученным результатам подсчитать статический коэффициент передачи транзистора b_DC.

⇐ Предыдущая 123 Следующая ⇒