Эксперимент 5 - Получение входной характеристики транзистора в схеме с ОБ

⇐ ПредыдущаяСтр 3 из 3

Сопротивление r_э

Расчет по результатам измерений _______ Расчет по формуле _________

Контрольные вопросы

1.Объясните сущность процессов инжекции и экстракции неосновных носителей заряда в транзисторе.

2. Что такое интегральный коэффициент передачи тока эмиттера?

3. Как образуется ток базы?

4. Почему обратный ток коллектора I_КБОсильно возрастает при повышении температуры.

5.От чего зависит ток коллектора транзистора?

6. Какие режимы работы биполярного транзистора вы знаете?

7. Что такое многоэмиттерный и многоколлекторный транзистор?

8. Каков механизм влияние коллекторного напряжения на эмиттерную характеристику?

9. Зависит ли коэффициент b_DC от тока коллектора? Если да, то в какой степени? Обосновать ответ.

10. Что можно сказать по выходным характеристикам о зависимости тока коллектора от тока базы и напряжения коллектор-эмиттер?

11. Какую роль выполняет диод Шоттки в транзисторе?

12. Приведите систему h-параметров транзистора и по статическим характеристикам транзистора определить h-параметры?

13. Чем дрейфовый транзистор отличается от бездрейфового?

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЫХОДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРАС УПРАВЛЯЮЩИМ p-n ПЕРЕХОДОС ДЛЯ СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ С ОБЩИМ ИСТОКОМ

Цель работы: Исследование выходной характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом для схемы включения с общим истоком

Приборы и элементы, используемые в лабораторной работе

Название	Графическое изображение
Полевой транзистор 2N5484
Источник напряжения, управляемый током
Источник напряжения, управляемый напряжением

4.1 Теоретические сведения

В полевых транзисторах с управляющим р-п переходом используются основные носители только одного типа (дырки или электроны), основным способом движения носителей является дрейф в электрическом поле. Между двумя электродами, называемыми истоком И и стоком С, расположен n-канал из полупроводника n-типа.

Ток стока полевых транзисторов зависит от напряжения на затворе и напряжения на стоке: . Поэтому они характеризуются двумя семействами статических вольт-амперных характеристик:

Первое из этих уравнений описывает семейство стоко-затворных или проходных, статистических характеристик полевого транзистора, второе — стоковых, или выходных. Семейство выходных вольт-амперных характеристик полевого транзистора с управляющим р-п переходом и каналом n-типа показано на рисунке 1. Верхней из кривых соответствует напряжение на затворе, равное нулю, последующим — отрицательное напряжение на затворе, которое тем больше по абсолютному значению, чем ниже кривая расположена. Когда напряжение на затворе оказывается равным напряжению отсечки, сила тока стока становится равной нулю при любом напряжении на стоке.

На каждой кривой рассматриваемого семейства можно выделить три характерные области. На начальном участке (а) зависимость почти линейная, ее наклон определяется проводимостью канала при данном напряжении на затворе и .

Рисунок 1

Когда напряжение на стоке увеличивается до значения называемого напряжением насыщения, такого, что ток стока становится практически не зависящим от : (область в на рис. 1). При напряжение насыщения максимально и численно равно напряжению отсечки . По мере увеличения напряжение насыщения уменьшается.

Максимально допустимое напряжение на стоке полевого транзистора ограничено пробоем р-п перехода. Это явление возникает, когда разность потенциалов между стоком и затвором превысит напряжение пробоя, и приводит к резкому возрастанию силы тока стока. Чрезмерное увеличение напряжения вызывает лавинный пробой между затвором и стоком.

Полевые транзисторы характеризуются статическими параметрами: крутизной проходной характеристики при , внутренним сопротивлением канала при , статическим коэффициентом усиления .

Полевой транзистор может быть включен по схеме с общим истоком (ОИ), с общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ). Однако две последние разновидности схем включения применяются редко.

⇐ Предыдущая 1 23