Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология
Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии


Часть 1 Исследование одноконтурных схем АГ.



Цель работы:

  1. Исследование условий возбуждения колебаний в автогенераторе (АГ) с цепью обратной связи.
  2. Изучение влияния режима работы АГ на его характеристики.
  3. Исследование влияния фазового сдвига в цепи обратной связи на основные характеристики АГ.

4. Исследование явления прерывистой генерации.

Программа выполнения работы

1. Установить ручки всех потенциометров лабораторного стенда в крайнее левое (нулевое) положение! Включить для прогрева лабораторный стенд и осциллограф.

Ознакомиться со схемой стенда и расположением переключателей, ручек управления и разъемов для подключения осциллографа, а также с перечнем выводимой на жидкокристаллический дисплей информации.

Собрать емкостную трехточечную схему АГ при включении транзистора по схеме с «заземленным эмиттером». Для этого поставить переключатели в следующие положения:

S1 – 2; S2 – 2; S6, S7 – разомкнуты (переключатель «РЯД КНОПОК» в верхнем положении);

S8 – 3, S9 – 2, S10 – замкнут (переключатель «РЯД КНОПОК» в нижнем положении);

S15 – 1.

Зарисовать полученую схему АГ.

В соответствии с описанием лабораторного стенда установить коллекторное напряжение равным 7 В, эквивалентное сопротивление контура максимальным (кнопки S3, S4 и S5 выключены), сопротивление и емкость цепи автосмещения ( и ) минимальными (кнопки S13, S14 – включены, а S11, S12 – выключены). Переключатель должен находиться в положении 0.

2.1 Исследовать диаграммы срыва АГ при различных режимах самовозбуждения. Для этого, изменяя напряжение смещения от нуля до максимально возможного значения, снять зависимости напряжения на контуре и постоянной составляющей тока коллектора транзистора от напряжения смещения ( ). Повторить измерения при изменении от максимально возможного значения до нуля.

ü Эксперимент проводится при различных значениях эквивалентного сопротивления контура (кнопки S3, S4, S5). Для мягкого самовозбуждения эквивалентное сопротивление должно быть минимальным (кнопки S3, S4, S5 – замкнуты), сопротивление в эмиттерной цепи – максимальным (кнопки S13, S14 – разомкнуты). Для жесткого самовозбуждения эквивалентное сопротивление контура должно быть максимальным (кнопки S3, S4, S5 – разомкнуты), сопротивление в эмиттерной цепи – минимальным (кнопки S13, S14 – замкнуты). Возможно использование промежуточных значений эквивалентного сопротивлений в коллекторной и эмиттерной цепях.

3.2 Снять настроечную характеристику АГ. Для этого установить режим работы, соответствующий режиму мягкого самовозбуждения и снять зависимости напряжения на контуре, постоянной составляющей коллекторного тока транзистора и частоты генерации от значения управляющего напряжения, подаваемого на варикап ( ).

ü Эксперимент может быть проведен при различных эквивалентных сопротивлениях контура .

3.3 Исследовать влияние напряжения источника коллекторного питания транзистора АГ на частоту генерируемых колебаний и режим работы транзистора. Для этого при частоте генерируемых колебаний порядка 2 МГц установить режим, аналогичный пп. 2.2, и снять зависимости .

ü Эксперимент проводится, начиная с максимально возможного значения напряжения питания , в сторону его уменьшения до срыва генерации.

ü Эксперимент может быть проведен для различных значений эквивалентного сопротивления контура .

3.4 Исследовать влияние значения коллекторной нагрузки на частоту генерируемых колебаний и режим работы транзистора. Для этого установить режим работы схемы аналогичный п. 6 и снять зависимости , изменяя состояния кнопок S3 – S5.

3.5 Исследовать режим прерывистой генерации. Для этого на максимально возможной частоте генерации в изучаемой схеме установить коллекторное напряжение равным 7 В, и – максимальными (S13, S14 – разомкнуты, S10, S12 – замкнуты), – минимальным (S3, S4, S5 – замкнуты)и, изменяя напряжение смещения от нуля в сторону его увеличения, добиться появления прерывистых колебаний в АГ. Снять зависимости длительности радиоимпульсов и промежутков между ними от значений и (соответствующие кнопки на панели макета) и зарисовать осциллограммы напряжений на выходе АГ и на эмиттере транзистора.

ü Обратить внимание на влияние значения напряжения смещения на параметры и форму генерируемых радиоимпульсов.

4. Собрать емкостную трехточечную схему АГ при включении транзистора по схеме с «заземленной базой». Для этого поставить переключатели в следующие положения:

S1 – 3; S2 – 1; S6, S7 – замкнуты (переключатель «РЯД КНОПОК» в верхнем положении);

S8 – 2, S9 – 2; S13, S14 – замкнуты, S10-S12 – разомкнуты (переключатель «РЯД КНОПОК» в нижнем положении);

S15 – 2.

Зарисовать полученную схему АГ.

В соответствии с описанием лабораторного стенда установить коллекторное напряжение равным 7 В, эквивалентное сопротивление контура максимальным(кнопки S3, S4 и S5 выключены) и изменяя напряжение смещения добиться возникновения генерации.

4.1 Повторить эксперименты по пунктам пп. 3.2, пп. 3.3, пп. 3.4.

4.2 Установить режим мягкого самовозбуждения, частоту генерируемых колебаний порядка 2 МГц и снять зависимости напряжения на контуре, постоянной составляющей коллекторного тока транзистора и частоты генерируемых колебаний от длины линии задержки в цепи обратной связи .

ü


Поделиться:



Популярное:

Последнее изменение этой страницы: 2016-04-09; Просмотров: 711; Нарушение авторского права страницы


lektsia.com 2007 - 2024 год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! (0.013 с.)
Главная | Случайная страница | Обратная связь