![]() |
Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Часть 1 Исследование одноконтурных схем АГ.
Цель работы:
4. Исследование явления прерывистой генерации. Программа выполнения работы 1. Установить ручки всех потенциометров лабораторного стенда в крайнее левое (нулевое) положение! Включить для прогрева лабораторный стенд и осциллограф. Ознакомиться со схемой стенда и расположением переключателей, ручек управления и разъемов для подключения осциллографа, а также с перечнем выводимой на жидкокристаллический дисплей информации. Собрать емкостную трехточечную схему АГ при включении транзистора по схеме с «заземленным эмиттером». Для этого поставить переключатели в следующие положения: S1 – 2; S2 – 2; S6, S7 – разомкнуты (переключатель «РЯД КНОПОК» в верхнем положении); S8 – 3, S9 – 2, S10 – замкнут (переключатель «РЯД КНОПОК» в нижнем положении); S15 – 1. Зарисовать полученую схему АГ. В соответствии с описанием лабораторного стенда установить коллекторное напряжение 2.1 Исследовать диаграммы срыва АГ при различных режимах самовозбуждения. Для этого, изменяя напряжение смещения ü Эксперимент проводится при различных значениях эквивалентного сопротивления контура 3.2 Снять настроечную характеристику АГ. Для этого установить режим работы, соответствующий режиму мягкого самовозбуждения и снять зависимости напряжения на контуре, постоянной составляющей коллекторного тока транзистора и частоты генерации от значения управляющего напряжения, подаваемого на варикап ( ü Эксперимент может быть проведен при различных эквивалентных сопротивлениях контура 3.3 Исследовать влияние напряжения источника коллекторного питания транзистора АГ на частоту генерируемых колебаний и режим работы транзистора. Для этого при частоте генерируемых колебаний порядка 2 МГц установить режим, аналогичный пп. 2.2, и снять зависимости ü Эксперимент проводится, начиная с максимально возможного значения напряжения питания ü Эксперимент может быть проведен для различных значений эквивалентного сопротивления контура 3.4 Исследовать влияние значения коллекторной нагрузки на частоту генерируемых колебаний и режим работы транзистора. Для этого установить режим работы схемы аналогичный п. 6 и снять зависимости 3.5 Исследовать режим прерывистой генерации. Для этого на максимально возможной частоте генерации в изучаемой схеме установить коллекторное напряжение ü Обратить внимание на влияние значения напряжения смещения на параметры и форму генерируемых радиоимпульсов. 4. Собрать емкостную трехточечную схему АГ при включении транзистора по схеме с «заземленной базой». Для этого поставить переключатели в следующие положения: S1 – 3; S2 – 1; S6, S7 – замкнуты (переключатель «РЯД КНОПОК» в верхнем положении); S8 – 2, S9 – 2; S13, S14 – замкнуты, S10-S12 – разомкнуты (переключатель «РЯД КНОПОК» в нижнем положении); S15 – 2. Зарисовать полученную схему АГ. В соответствии с описанием лабораторного стенда установить коллекторное напряжение 4.1 Повторить эксперименты по пунктам пп. 3.2, пп. 3.3, пп. 3.4. 4.2 Установить режим мягкого самовозбуждения, частоту генерируемых колебаний порядка 2 МГц и снять зависимости напряжения на контуре, постоянной составляющей коллекторного тока транзистора и частоты генерируемых колебаний от длины линии задержки в цепи обратной связи ü Популярное:
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-04-09; Просмотров: 747; Нарушение авторского права страницы