Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии |
Часть 1 Исследование одноконтурных схем АГ.
Цель работы:
4. Исследование явления прерывистой генерации. Программа выполнения работы 1. Установить ручки всех потенциометров лабораторного стенда в крайнее левое (нулевое) положение! Включить для прогрева лабораторный стенд и осциллограф. Ознакомиться со схемой стенда и расположением переключателей, ручек управления и разъемов для подключения осциллографа, а также с перечнем выводимой на жидкокристаллический дисплей информации. Собрать емкостную трехточечную схему АГ при включении транзистора по схеме с «заземленным эмиттером». Для этого поставить переключатели в следующие положения: S1 – 2; S2 – 2; S6, S7 – разомкнуты (переключатель «РЯД КНОПОК» в верхнем положении); S8 – 3, S9 – 2, S10 – замкнут (переключатель «РЯД КНОПОК» в нижнем положении); S15 – 1. Зарисовать полученую схему АГ. В соответствии с описанием лабораторного стенда установить коллекторное напряжение равным 7 В, эквивалентное сопротивление контура максимальным (кнопки S3, S4 и S5 выключены), сопротивление и емкость цепи автосмещения ( и ) минимальными (кнопки S13, S14 – включены, а S11, S12 – выключены). Переключатель должен находиться в положении 0. 2.1 Исследовать диаграммы срыва АГ при различных режимах самовозбуждения. Для этого, изменяя напряжение смещения от нуля до максимально возможного значения, снять зависимости напряжения на контуре и постоянной составляющей тока коллектора транзистора от напряжения смещения ( ). Повторить измерения при изменении от максимально возможного значения до нуля. ü Эксперимент проводится при различных значениях эквивалентного сопротивления контура (кнопки S3, S4, S5). Для мягкого самовозбуждения эквивалентное сопротивление должно быть минимальным (кнопки S3, S4, S5 – замкнуты), сопротивление в эмиттерной цепи – максимальным (кнопки S13, S14 – разомкнуты). Для жесткого самовозбуждения эквивалентное сопротивление контура должно быть максимальным (кнопки S3, S4, S5 – разомкнуты), сопротивление в эмиттерной цепи – минимальным (кнопки S13, S14 – замкнуты). Возможно использование промежуточных значений эквивалентного сопротивлений в коллекторной и эмиттерной цепях. 3.2 Снять настроечную характеристику АГ. Для этого установить режим работы, соответствующий режиму мягкого самовозбуждения и снять зависимости напряжения на контуре, постоянной составляющей коллекторного тока транзистора и частоты генерации от значения управляющего напряжения, подаваемого на варикап ( ). ü Эксперимент может быть проведен при различных эквивалентных сопротивлениях контура . 3.3 Исследовать влияние напряжения источника коллекторного питания транзистора АГ на частоту генерируемых колебаний и режим работы транзистора. Для этого при частоте генерируемых колебаний порядка 2 МГц установить режим, аналогичный пп. 2.2, и снять зависимости . ü Эксперимент проводится, начиная с максимально возможного значения напряжения питания , в сторону его уменьшения до срыва генерации. ü Эксперимент может быть проведен для различных значений эквивалентного сопротивления контура . 3.4 Исследовать влияние значения коллекторной нагрузки на частоту генерируемых колебаний и режим работы транзистора. Для этого установить режим работы схемы аналогичный п. 6 и снять зависимости , изменяя состояния кнопок S3 – S5. 3.5 Исследовать режим прерывистой генерации. Для этого на максимально возможной частоте генерации в изучаемой схеме установить коллекторное напряжение равным 7 В, и – максимальными (S13, S14 – разомкнуты, S10, S12 – замкнуты), – минимальным (S3, S4, S5 – замкнуты)и, изменяя напряжение смещения от нуля в сторону его увеличения, добиться появления прерывистых колебаний в АГ. Снять зависимости длительности радиоимпульсов и промежутков между ними от значений и (соответствующие кнопки на панели макета) и зарисовать осциллограммы напряжений на выходе АГ и на эмиттере транзистора. ü Обратить внимание на влияние значения напряжения смещения на параметры и форму генерируемых радиоимпульсов. 4. Собрать емкостную трехточечную схему АГ при включении транзистора по схеме с «заземленной базой». Для этого поставить переключатели в следующие положения: S1 – 3; S2 – 1; S6, S7 – замкнуты (переключатель «РЯД КНОПОК» в верхнем положении); S8 – 2, S9 – 2; S13, S14 – замкнуты, S10-S12 – разомкнуты (переключатель «РЯД КНОПОК» в нижнем положении); S15 – 2. Зарисовать полученную схему АГ. В соответствии с описанием лабораторного стенда установить коллекторное напряжение равным 7 В, эквивалентное сопротивление контура максимальным(кнопки S3, S4 и S5 выключены) и изменяя напряжение смещения добиться возникновения генерации. 4.1 Повторить эксперименты по пунктам пп. 3.2, пп. 3.3, пп. 3.4. 4.2 Установить режим мягкого самовозбуждения, частоту генерируемых колебаний порядка 2 МГц и снять зависимости напряжения на контуре, постоянной составляющей коллекторного тока транзистора и частоты генерируемых колебаний от длины линии задержки в цепи обратной связи . ü Популярное:
|
Последнее изменение этой страницы: 2016-04-09; Просмотров: 747; Нарушение авторского права страницы