Архитектура Аудит Военная наука Иностранные языки Медицина Металлургия Метрология
Образование Политология Производство Психология Стандартизация Технологии


Кафедра информационных систем и технологий



Кафедра информационных систем и технологий

Буть С.В., Яничкин В.В.

ТЕХНОЛОГИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ

АППАРАТУРЫ

 

 

Конспект лекций для студентов дневной и заочной форм обучения

по специальности:

I-38.02.01 - информационно-измерительная техника,

 

Гродно 2011

СОДЕРЖАНИЕ

 

1. ОСНОВНЫЕ ПРИНЦИПЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ

ПРОЦЕССОВ……………………………………………………………………………….…….4

1.1. Конструктивно-технологические особенности электронной аппаратуры ……...4

1.2. Структура производственного процесса, виды и типы технологических

процессов ……………………………………………………………………………….6

 

2. ТЕХНОЛОГИЯ КОМУТАЦИОННЫХ ПЛАТ ……………………………………………….11

2.1. Конструктивно технологические требования, предъявляемые к платам

и печатному монтажу ……………………………………………………………….11

2.2. Классификация плат и методов их изготовления ………………………………..13

2.3. Материалы для изготовления печатных плат …………………………………... 16

2.4. Формирование рисунка схемы ………………………………………………….…. 17

2.5. Травление меди с пробельных мест …………………………………………….… 24

2.6. Химическая и электрохимическая металлизация …………………………….…26

2.7. Механическая обработка печатных плат ………………………………………... 29

2.8. Технология односторонних и двусторонних печатных плат …………………....31

2.9. Технология многослойных печатных плат ………………………………………37

2.10. Технология проводных плат ………………………………………………………46

2.11. Платы микроэлектронной аппаратуры ………………………………………….52

2.12. Контроль качества и диагностика плат …………………………………………56

 

3. ТЕХНОЛОГИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ ………………………………………62

3.1. Методы создания монтажных соединений ………………………………………..62

3.2. Физико-химическое содержание процесса пайки ………………………………..66

3.3. Припои, флюсы, пасты ………………………………………………………………81

3.4. Технологические основы индивидуальной пайки …………………………….....87

3.5. Контроль качества паяных соединений …………………………………………..91

3.6. Физико-технологическое содержание сварки …………………………………....96

3.7. Монтажная микросварка …………………………………………………………...99

3.8. Накрутка и обжимка ……………………………………………………………….. 102

4. ТЕХНОЛОГИЯ РАЗЪЕМНЫХ И НЕРАЗЪЕМНЫХ СОЕДИНЕНИЙ …………………107

 

4.1. Классификация механических соединений и области их применения ………107

4.2. Разъемные соединения ……………………………………………………………..108

4.3. Неразъемные соединения ………………………………………………………..…110

4.4. Пайка механических соединений ………………………………………………….114

4.5. Конструкционная сварка ………………………………………………………...…116

5. СБОРКА ЭЛЕКТРОННЫХ БЛОКОВ НА ПЕЧАТНЫХ ПЛАТАХ ……………………….121

 

5.1. Структура технологического процесса сборки …………………………….……121

5.2. Подготовка ЭРЭ и ИМС к монтажу …………………………………………...…122

5.3. Установка компонентов на платы ……………………………………………..…126

5.4. Автоматическое оборудование для сборки ………………………………………129

5.5. Технология поверхностного монтажа …………………………………………….132

 

6. ГРУППОВАЯ ПАЙКА БЛОКОВ …………………………………………………………….137

6.1. Классификация способов групповой пайки …………………………………..…137

6.2. Пайка погружением …………………………………………………………………138

6.3. Волновые способы пайки ………………………………………………………..…140

6.4. Пайка групповым инструментом …………………………………………………144

6.5. Пайка летучим теплоносителем ……………………………………………..……146

6.6. Подготовительно-заключительные операции при групповой пайки ……..…148

7. ВНУТРИБЛОЧНЫЙ И МЕЖБЛОЧНЫЙ МОНТАЖ …………………………………..…153

7.1. Технические требования к монтажу …………………………………………..…153

7.2. Подготовка проводов к монтажу ………………………………………………….155

7.3. Технология жгутового монтажа ………………………………………………..…158

8. ТЕХНОЛОГИЯ РЕГУЛИРОВКИ И ТРЕНИРОВКИ …………………………………….164

8.1. Методы регулировки …………………………………………………………...…164

8.2. Технологическая тренировка и испытания ………………………………….…165

 

ЛИТЕРАТУРА …………………………………………………………………………….169

 

1. ОСОВНЫЕ ПРИНЦИПЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ

ПРОЦЕССОВ

ТЕХНОЛОГИЯ КОМУТАЦИОННЫХ ПЛАТ

2.1. Конструктивно технологические требования, предъявляемые к платам и

Печатному монтажу.

Печатные платы – это элементы конструкции, которые состоят из пло­ских проводников в виде участков ме­таллизированного покрытия, размещен­ных на диэлектрическом основании и обеспечивающих соединение элемен­тов электрической цепи. Они получи­ли широкое распространение в произ­водстве модулей, ячеек и блоков ЭА.

Печатным монтажом называется совокупность плоских проводников, нанесенных на изоляционное основа­ние и обеспечивающих требуемое соединение элементов в электрической цепи. Применение печатного монтажа по сравнению с объемным позволяет:

· увеличить плотность монтажных соединений и обеспечить миниатюризацию изделий;

· обеспечить унификацию и стандартизацию конструктивных и технологических решений;

· увеличить надежность за счет резкого сокращения числа паяных соединений в изделии;

· гарантировать стабильность электрических характеристик;

· улучшить вибропрочность, теплоотдачу и стойкость к климатическим
воздействиям;

· автоматизировать операции сборки и монтажа ЭА, уменьшить трудоемкость и снизить стоимость изделия.

К недостаткам печатного монтажа следует отнести сложность внесения из­менений в конструкцию изделия, огра­ниченную ремонтопригодность, повы­шенный расход цветных металлов.

Элементами ПП являются диэлек­трическое основание, металлическое по­крытие в виде рисунка печатных про­водников и контактных площадок, монтажные и фиксирующие отверстия. Они должны соответствовать требова­ниям ГОСТ 23752–86 и отраслевых стандартов.

Диэлектрическое основание ПП или МПП должно быть однородным по цвету, монолитным по структуре и не иметь внутренних пузырей и раковин, посторонних включений, сколов, тре­щин и расслоений. Допускаются от­дельные вкрапления металла, царапи­ны, следы от удаления одиночных не вытравленных участков, точечное и контурное просветление, проявление структуры материала, которые не ухуд­шают электрических параметров ПП и не уменьшают минимально допусти­мых расстояний между элементами проводящего рисунка.

Проводящий рисунок должен быть четким, с ровными краями, без взду­тий, отслоений, подтравливаний, раз­рывов, темных пятен, следов инстру­мента и остатков технологических ма­териалов. Допускаются: отдельные ме­стные протравы не более 5 точек на 1 дм2 при условии, что оставшаяся ши­рина проводника соответствует мини­мально допустимой по чертежу; риски глубиной не более 25 мкм и длиной до 6 мм; отслоение проводника в од­ном месте на длине не более 4 мм; ос­татки металлизации на пробельных участках, не уменьшающие допусти­мых расстояний между элементами.

Для повышения коррозионной стой­кости и улучшения паяемости на по­верхность проводящего рисунка нано­сят электролитическое покрытие, ко­торое должно быть сплошным, без раз­рывов, отслоений и подгаров. В от­дельных случаях допускаются: участки без покрытия площадью не более 2 мм2 на проводник, но не более 5 на плате; местные наросты высотой не более 0, 2 мм; потемнение и неоднородность покрытия, не ухудшающие паяемость; отсутствие покрытия на торцах про­водников.

Монтажные и фиксирующие отвер­стия должны быть расположены в со­ответствии с требованиями чертежа и иметь допустимые отклонения, опре­деляемые классом точности ПП. Для повышения надежности паяных со­единений внутреннюю поверхность монтажных отверстий покрывают сло­ем меди толщиной не менее 25 мкм. Покрытие должно быть сплошным, без включений, пластичным, с мелко­кристаллической структурой и прочно сцепленным с диэлектрическим осно­ванием. Оно должно выдерживать то­ковую нагрузку 25 А/мм2 в течение 3 с при нагрузке на контакты 1, 0 – 1, 5 Н и четыре (для МПП – три) перепайки выводов без изменения внешнего ви­да, подгаров и отслоений.

Контактные площадки представляют собой участки металлического покры­тия, которые соединяют печатные про­водники с металлизацией монтажных отверстий. Их площадь должна быть такой, чтобы не было разрывов при сверлении и остался гарантийный поя­сок меди шириной не менее 50 мкм. Разрывы контактных площадок не до­пускаются, так как при этом умень­шается токонесущая способность про­водников и адгезия к диэлектрику.

Допускается частичное отслоение от­дельных (до 2 %) контактных площа­док вне зоны проводников и их ре­монт с помощью эпоксидного клея. Контактные площадки монтажных от­верстий должны равномерно смачи­ваться припоем за время 3–5 с и вы­держивать не менее трех (для МПП – двух) перепаек без расслоения диэлек­трика, вздутий и отслаивания. В процессе производства происхо­дит деформация ПП, которая приво­дит к их изгибу и скручиванию, за­трудняющим последующую сборку. Величина деформации определяется механической прочностью фольгированных диэлектриков, характером на­пряженного состояния после стравливания фольги, правильностью режи­мов нагрева и охлаждения.

На платах толщиной 0, 8 мм и менее деформация не контролируется, при толщинах 1, 5– 3 мм деформация на 100 мм длины не должна превышать: для МПП 0, 4– 0, 5 мм, для ДПП на стеклотекстолите 0, 6–0, 9, на гетинаксе 0, 6–1, 5 мм. При воздействии на ПП повышенной температуры (260 – 290 °С) в течение 10 с не должно на­блюдаться разрывов проводящего по­крытия, отслоения от диэлектрическо­го основания.

ТП изготовления ПП не должен ухудшать электрофизических и меха­нических свойств применяемых кон­струкционных материалов. Сопротив­ление изоляции между двумя рядом расположенными элементами ПП при минимальном расстоянии между ними 0, 2–0, 4 мм не должно быть для стек­лотекстолита меньше:

· 10000 МОм при нормальных климатических условиях (температура (25+1)°С, относительная влажность (65±15) %, атмосферное дав­ление 96–104 кПа);

· 1000 МОм после воздействия (2ч) температуры (60+2)°С и 300 МОм после воздействия (2ч) температуры (85±2) °С;

· 20 МОм после пребывания в течение 4 суток в камере с относительной влажностью (93±3) % при температуре (40±2) °С;

· 5 МОм по­сле 10 суток;

· 1 МОм после 21 суток.

Вос­становление первоначального значе­ния сопротивления изоляции должно происходить в течение суток.

Электрическая прочность изоляции при том же расстоянии между элемен­тами проводящего рисунка не нару­шается при напряжениях: 700 В в нормальных условиях; 500 В после воздействия относительной влажности (93±3) % при температуре (40±2) °С в течение 2 сут; 350 и 150 В после воз­действия пониженного давления (53, 6 и 0, 67 кПа соответственно). Для внут­ренних слоев МПП указанные значения испытательного напряжения уве­личиваются на 15 %.

Плотность монтажа определяется шириной проводников и расстоянием между ними. В соответствии с ГОСТ 23751– 86 для ПП установлено пять классов плотности монтажа, допуска­ющих минимальную ширину и зазоры между проводниками: 0, 75; 0, 45; 0, 25; 0, 15; 0, 10 мм.

Трассировку рисунка схемы прово­дят по координатной сетке с шагом 2, 5 и 1, 25 мм по ГОСТ 10317–77, а также 0, 625 мм. Минимальные диа­метры отверстий, расположенных в узлах координатной сетки, зависят от максимального диаметра вывода на­весного элемента (dвыв), наличия ме­таллизации и толщины платы.

Высокие конструктивно-технологи­ческие требования предъявляются к печатному монтажу блоков ЭВМ, где увеличение производительности ЭВМ находится в непосредственной зависи­мости от возможностей сокращения длины связей между логическими эле­ментами, так называемой конструктив­ной задержки сигнала. Это достигает­ся более плотной компоновкой ИМС на плате и прогрессирующим повыше­нием плотности печатного монтажа.

Формирование рисунка схемы.

 

Нанесение рисунка схемы или за­щитного рельефа требуемой конфигу­рации необходимо при осуществлении процессов металлизации и травления. Рисунок должен иметь четкие грани­цы с точным воспроизведением тон­ких линий, быть стойким к травиль­ным растворам, не загрязнять платы и электролиты, легко сниматься после выполнения своих функций. Перенос рисунка печатного монтажа на фольгированный диэлектрик осуществляют методами сеткографии, офсетной пе­чати и фотопечати. Выбор метода за­висит от конструкции платы, требуе­мой точности и плотности монтажа, серийности производства.

Сеткографический метод нанесения рисунка схемы наиболее рентабелен для массового и крупносерийного производства плат при минимальной ширине проводников и расстоянии между ними > 0, 5 мм, точность вос­произведения изображения ±0, 1 мм. Суть заключается в нанесении на пла­ту специальной кислотостойкой крас­ки путем продавливания ее резиновой лопаткой (ракелем) через сетчатый трафарет, в котором необходимый ри­сунок образован открытыми ячейками сетки (рис. 2.4).

Для изготовления трафарета ис­пользуют металлические сетки из не­ржавеющей стали с толщиной прово­локи 30–50 мкм и частотой плетения 60–160 нитей на 1 см, металлизиро­ванного нейлонового волокна, имею­щего лучшую эластичность, с толщи­ной нити 40 мкм и частотой плетения до 200 нитей на 1 см, а также из по­лиэфирных волокон и капрона

Од­ним из недостатков сеток является их растяжение при многократном использовании. Самой большой стойкостью обладают сетки из нержавеющей стали (до 20 тыс. отпечатков), метал­лизированных пластмасс (12 тыс.), по­лиэфирных волокон (до 10 тыс.), ка­прона (5 тыс.).

 

Рис. 2.4. Принцип трафаретной печати.

1 – ракель; 2 – трафарет; 3 – краска; 4 – основание.

 

Изображение на сетке получают с помощью экспонирования жидкого или сухого (пленочного) фоторезиста, после проявления которого образуют­ся открытые (свободные от рисунка) ячейки сетки. Трафарет в сеткографи­ческой раме устанавливают с зазором 0, 5–2 мм от поверхности платы так, чтобы контакт сетки с поверхностью платы был только в зоне нажатия на сетку ракелем. Ракель представляет собой прямоугольную заточенную по­лосу резины, установленную по отно­шению к подложке под углом 60–70°.

Для получения рисунка ПП исполь­зуют термоотверждающиеся краски СТ 3.5;

СТ 3.12, которые сушат либо в термошкафу при температуре 60°С в течение 40 мин, либо на воздухе в те­чение 6 ч, что удлиняет процесс сеткографии. Более технологичными яв­ляются фотополимерные композиции ЭП-918 и ФКП-ТЗ с ультрафиолетовым отверждением в течение 10–15с, что является решающим фактором при автоматиза­ции процесса. При однократном на­несении покрытие зеленого цвета имеет толщину 15–25 мкм, воспроиз­водит рисунок с шириной линий и за­зорами до 0, 25 мм, выдерживает погружение в расплав припоя ПОС-61 при температуре 260°С до 10 с, воз­действие спиртобензиновой смеси до 5 мин и термоциклирование в интер­вале температур от – 60 до +120 °С. После нанесения рисунка плату про­сушивают при температуре 60 °С в те­чение 5–8 мин, контролируют качест­во и при необходимости подвергают ретуши. Удаление защитной маски после травления или металлизации осуществляют химическим методом в 5 %-м растворе едкого натра в течение 10–20 с.

 

Табл. 2.2. Оборудование для трафаретной печати.

Тип оборудования Марка Формат печати Производительность оттисков/час
Автомат шелкографический Полуавтомат трафаретной печати Трафаретная печатная машина Полуавтомат Полуавтомат Автоматическая линия   Автомат АШ-2 (СССР) ПТП-3 (СССР) ПТ-2 (СССР) Minimatik (Швеция) Beltron (Германия) Chemcut (США) Resso (Италия) Astrjmat (Италия) 380 × 220 400 × 300 430× 200 300 × 500 500× 700 500× 700 510× 760 650× 650

Для трафаретной печати использу­ют полуавтоматическое и автоматиче­ское оборудование, отличающееся фор­матом печати и производительностью (табл. 2.2). Автоматические линии тра­фаретной печати фирм Chemcut (США), Resco (Италия) имеют авто­матические системы подачи и уста­новки плат, движения ракеля и пода­чи резиста. Для сушки резиста приме­няют ИК-печитуннельного типа.

Офсетная печать применяется для крупносерийного производства ПП при малой номенклатуре схем. Разре­шающая способность 0, 5–1 мм, точ­ность получаемого изображения со­ставляет ±0, 2 мм. Суть метода в том, что в клише, несущее изображение схемы (печатные проводники, кон­тактные площадки), закатывается краска. Затем она снимается офсетным валиком, покрытым резиной, пе­реносится, на изоляционное основание и подвергается сушке. Клише и осно­вание платы располагаются друг за другом на основании машины для оф­сетной печати (рис. 2.5)

 

 

Рис.2.5. Схема офсетной печати.

1 – офсетный валик; 2 – клише; 3 – плата;

4 – валик для нанесения краски; 5 – прижимной валик.

 

Точность печати и резкость конту­ров определяются параллельностью валика и основания, типом и конси­стенцией краски. С помощью одного клише можно выполнить неограни­ченное число оттисков. Производи­тельность метода ограничена длитель­ностью колебательного цикла (нанесе­ние краски – перенос) и не превыша­ет 200–300 оттисков в час. Недостат­ки метода: длительность процесса изготовления клише, сложность измене­ния рисунка схемы, трудность получе­ния беспористых слоев, высокая стои­мость оборудования.

Фотографический метод нанесения рисунка позволяет получать минималь­ную ширину проводников и расстоя­ния между ними 0, 1–0, 15 мм с точ­ностью воспроизведения до 0, 01 мм. С экономической точки зрения этот способ менее рентабельный, но по­зволяет получать максимальную раз­решающую способность рисунка и по­этому применяется в мелкосерийном и серийном производстве при изго­товлении плат высокой плотности и точности. Способ основан на исполь­зовании светочувствительных компози­ций, называемых фоторезистами, ко­торые должны обладать: высокой чув­ствительностью; высокой разрешаю­щей способностью; однородным по всей поверхности беспористым слоем с высокой адгезией к материалу пла­ты; устойчивостью к химическим воз­действиям; простотой приготовления, надежностью и безопасностью приме­нения.

Фоторезисты разделяются на нега­тивные и позитивные. Негативные фоторезисты под действием излучения образуют защитные участки рельефа в результате фотополимеризации и задубливания. Освещенные участки пе­рестают растворяться и остаются на поверхности подложки. Позитивные фо­торезисты передают рисунок фото­шаблона без изменений. При световой обработке экспонированные участки разрушаются и вымываются.

Для получения рисунка схемы при использовании негативного фоторезиста экспонирование производят через негатив, позитивного – через пози­тив. Позитивные фоторезисты имеют более высокую разрешающую способ­ность, что объясняется различиями в поглощении излучения фоточувстви­тельным слоем. На разрешающую спо­собность слоя влияют дифракционное огибание света на краю непрозрачно­го элемента шаблона и отражение све­та от подложки (рис. 2.6, а).

 

Рис.2.6. Экспонирование светочувствительного слоя:

а – экспонирование; б – негативный фоторезист; в – позитивный фоторезист;

1 –дифракция; 2 –рассеяние; 3 –отражение; 4 –шаблон; 5 – резист; 6 – подложка.

В негативном фоторезисте дифрак­ция не играет заметной роли, по­скольку шаблон плотно прижат к резисту, но в результате отражения во­круг защитных участков появляется ореол, который снижает разрешаю­щую способность (рис. 2.6, б). В слое позитивного резиста под влиянием дифракции разрушится и вымоется при проявлении только верхняя об­ласть резиста под непрозрачными уча­стками фотошаблона, что мало ска­жется на защитных свойствах слоя. Свет, отраженный от подложки, может вызвать некоторое разрушение прилегающей к ней области, но про­явитель эту область не вымывает, так как под действием адгезионных сил слой опустится вниз, вновь образуя четкий край изображения без ореола (рис. 2.6, в).

В настоящее время в промышлен­ности используются жидкие и сухие (пленочные) фоторезисты. Жидкие фоторезисты – коллоидные растворы синтетических полимеров, в частности поливинилового спирта (ПВС). Наличие гидроксильной груп­пы ОН в каждом звене цепи опреде­ляет высокую гигроскопичность и по­лярность поливинилового спирта. При добавлении к водному раствору ПВС бихромата аммония происходит «очув­ствление» последнего. Фоторезист на основе ПВС наносят на предваритель­но подготовленную поверхность пла­ты путем окунания заготовки, поли­вом с последующим центрифугирова­нием. Затем слои фоторезиста сушат в термошкафу с циркуляцией воздуха при температуре 40°С в течение 30–40 мин. После экспонирования осу­ществляется проявление фоторезиста в теплой воде. Для повышения хими­ческой стойкости фоторезиста на ос­нове ПВС применяют химическое дубление рисунка ПП в растворе хромового ангидрида, а затем термиче­ское дубление при температуре 120°С в течение 45–50 мин. Раздубливание (снятие) фоторезиста проводят в тече­ние 3–6 с в растворе следующего состава:

– 200–250 г/л щавелевой кисло­ты,

– 50–80 г/л хлористого натрия,

– до 1000 мл воды при температуре 20 °С.

Достоинства фоторезиста на основе ПВС – низкие токсичность и пожароопасность, проявление с помощью воды. К недостаткам его относят эф­фект темнового дубления (поэтому срок хранения заготовок с нанесен­ным фоторезистом не должен превы­шать 3–6 ч), низкую кислото- и щелочеустойчивость, трудность автома­тизации процесса получения рисунка, трудоемкость приготовления фоторезиста, низкую чувствительность.

Улучшение свойств жидких фоторе­зистов (устранение дубления, повы­шение кислотостойкости) достигается в фоторезисте на основе циннамата. Светочувствительным компонентом фо­торезиста этого типа является поливинилциннамат (ПВЦ) – продукт взаи­модействия поливинилового спирта и хлорангидрида коричной кислоты. Разрешающая способность его при­мерно 500 лин/мм, проявление осуще­ствляется в органических растворите­лях – трихлорэтане, толуоле, хлор­бензоле. Для интенсификации про­цесса проявления и удаления фоторе­зиста ПВЦ используют ультразвуко­вые колебания. Диффузия в УЗ-поле сильно ускоряется за счет акустиче­ских микропотоков, а образующиеся кавитационные пузырьки при захло­пывании отрывают участки фоторези­ста от платы. Время проявления со­кращается до 10 с, т. е. в 5–8 раз по сравнению с обычной технологией. К недостаткам фоторезиста ПВЦ от­носятся его высокая стоимость, ис­пользование токсичных органических растворителей. Поэтому резисты ПВЦ не нашли широкого применения в изготовлении ПП, а используются глав­ным образом при изготовлении ИМС.

Фоторезисты на основе диазосоединений применяют в основном как по­зитивные. Светочувствительность диазосоединений обусловлена наличием в них групп, состоящих из двух атомов азота N2 (рис. 2.7).

Рис.2.7. Молекулярные связи в структуре диазосоединений.

 

Сушка слоя фото­резиста проводится в две стадии:

– при температуре 20°С в течение 15–20 мин для испарения легколетучих компо­нентов;

– в термостате с циркуляцией воздуха при температуре 80 °С в те­чение 30–40 мин.

Проявителями яв­ляются растворы тринатрийфосфата, соды, слабых щелочей. Фоторезисты ФП-383, ФН-11 на основе диазосоединений имеют разрешающую способ­ность 350–400 лин/мм, высокую хи­мическую стойкость, однако стои­мость их высока.

Сухие пленочные фоторезисты марки Riston впервые разработаны в 1968 г. фирмой Du Pont (США) и имеют тол­щину 18 мкм (красный цвет), 45 мкм (голубой) и 72 мкм (рубиновый). Су­хой пленочный фоторезист марки СПФ-2 выпускается с 1975 г. толщи­ной 20, 40 и 60 мкм и представляет собой полимер на основе полиметилметакрилата 2 (рис.2.8), расположен­ный между полиэтиленовой 3 и лавса­новой / пленками толщиной 25 мкм каждая.

Рис.2.8. Структура сухого фоторезиста.

 

В СНГ выпускаются следующие типы сухих пленочных фоторезистов:

– проявляемые в органических веще­ствах – СПФ-2, СПФ-АС-1, СРФ-П;

– водно-щелочные – СПФ-ВЩ2, ТФПК;

– повышенной надежности – СПФ-ПНЩ;

– защитные – СПФ-З-ВЩ.

Перед накаткой на поверхность ос­нования ПП защитная пленка из по­лиэтилена удаляется и сухой фоторе­зист наносится на плату валиковым методом (плакирование, ламинирова­ние) при нагреве до 100°С со скоро­стью до 1 м/мин с помощью специ­ального устройства, называемого ла­минатором. Сухой резист полимеризуется под действием ультрафиолетового излучения, максимум его спектраль­ной чувствительности находится в об­ласти 350 нм, поэтому для экспониро­вания используют ртутные лампы. Проявление осуществляется в маши­нах струйного типа в растворах метилхлорида, диметилформамида.

СПФ-2 – сухой пленочный фоторе­зист, аналогичный по свойствам фото­резисту Riston, допускает обработку как в кислых, так и в щелочных сре­дах и используется при всех методах изготовления ДПП. При его примене­нии необходима герметизация обору­дования для проявления. СПФ-ВЩ обладает более высокой разрешающей способностью (100–150 линий/мм), стоек в кислой среде, обрабатывается в щелочных растворах. В состав фото­резиста ТФПК (в полимеризующую композицию) входит метакриловая ки­слота, улучшающая эксплуатационные характеристики. Для него не требуется термообработка защитного рельефа перед нанесением гальванопокрытия. СПФ-АС-1 позволяет получать рису­нок ПП как по субтрактивной, так и по аддитивной технологии, поскольку он стоек и в кислых, и в щелочных средах. Для улучшения адгезии свето­чувствительного слоя к медной под­ложке в состав композиции введен бензотриазол.

Применение сухого фоторезиста зна­чительно упрощает процесс изготовле­ния ПП, увеличивает процент выхода годных изделий с 60 до 90 %. При этом:

– исключаются операции сушки, дубления и ретуширования, а также за­грязнения, нестабильность слоев;

– обес­печивается защита металлизированных отверстий от затекания фоторезиста;

– достигается высокая автоматизация и механизация процесса изготовления ПП и контроля изображения.

Установка для нанесения сухого пленочного фоторезиста – ламинатор (рис.2.9) состоит из валиков 2, по­дающих плату 6 и прижимающих фо­торезист к поверхности заготовок, ва­ликов 3 и 4 для снятия защитной по­лиэтиленовой пленки, бобины с фоторезистом 5, нагревателя 1 с терморегу­лятором.

 

 

Рис.2.9. Схема ламинатора.

 

Скорость движения заготов­ки платы достигает 0, 1 м/с, температу­ра нагревателя (105 ±5) °С. Конструкция установки АРСМ 3.289.006 НПО «Ратон» (Беларусь) обеспечивает постоянное усилие прижатия независи­мо от зазора, устанавливаемого между валиками-нагревателями. Максималь­ная ширина заготовки ПП 560 мм. Особенностью накатывания является опасность попадания пыли под слой фоторезиста, поэтому установка долж­на работать в гермозоне. Накатанная пленка фоторезиста выдерживается не менее 30 мин перед экспонированием для завершения усадочных процессов, которые могут вызвать искажение ри­сунка и уменьшить адгезию.

Проявление рисунка осуществляет­ся в результате химического и механи­ческого воздействия метилхлороформа. За оптимальное время проявления принимается время, в 1, 5 раза боль­шее, чем необходимо для полного удаления незадубленного СПФ. Каче­ство операции проявления зависит от пяти факторов: времени проявления, температуры проявления, давления проявителя в камере, загрязнения про­яви геля, степени окончательной про­мывки. По мере накопления в прояви­теле растворенного фоторезиста ско­рость проявления замедляется. После проявления плату необходимо отмыть водой до полного удаления остатков растворителя. Продолжительность опе­рации проявления СПФ-2 при темпе­ратуре проявителя 14–18°С, давлении раствора в камерах 0, 15МПа и скоро­сти движения конвейера 2, 2 м/мин со­ставляет 40–42 с.

Удаление и проявление фоторезиста осуществляется в машинах струйного типа (ГГМЗ.254.001, АРСМЗ.249.000) в хлористом метилене. Это сильный растворитель, поэтому операция сня­тия фоторезиста должна выполняться быстро (за 20–30 с). В установках пре­дусматривается замкнутый цикл ис­пользования растворителей, после оро­шения плат растворители поступают в дистиллятор, а затем чистые раствори­тели переключаются на повторное ис­пользование.

Экспонирование фоторезиста пред­назначено для инициирования в нем фотохимических реакций и проводит­ся в установках, имеющих источники света (сканирующие или неподвиж­ные) и работающие в ультрафиолето­вой области. Для плотного прилега­ния фотошаблонов к заготовкам плат используют рамы, где создается раз­режение. Установка экспонирования СКЦИ.442152.0001 НПО «Ратон» при рабочем поле загрузочных рам 600× 600 мм обеспечивает производитель­ность 15 плат/ч. Время экспозиции ртутной лампой ДРШ-1000 1–5 мин. После экспонирования для заверше­ния темновой фотохимической реак­ции необходима выдержка при ком­натной температуре в течение 30 мин перед удалением лавсановой защит­ной пленки.

Недостатки сухого фоторезиста – не­обходимость приложения механическо­го усилия при накатке, что недопусти­мо для ситалловых подложек, пробле­ма утилизации твердых и жидких от­ходов. На каждые 1000 м2 материала образуется до 40 кг твердых и 21 кг жидких отходов, утилизация которых является экологической проблемой.

Для получения проводящего рисун­ка на изоляционном основании как сеткографическим, так и фотохимиче­ским способом необходимо применять фотошаблоны, представляющие собой графическое изображение рисунка в масштабе 1: 1 на фотопластинках или фотопленке. Фотошаблоны выполня­ют в позитивном изображении при наращивании проводящих участков на лентах и в негативном изображении, когда проводящие участки получают травлением меди с пробельных мест.

Геометрическая точность и качество рисунка ПП обеспечиваются в первую очередь точностью и качеством фото­шаблона, который должен иметь:

– контрастное черно-белое изображе­ние элементов с четкими и ровными границами при оптической плотности черных полей не менее 2, 5 ед., прозрачных участков не более 0, 2 ед., измеренной на денситомере типа ДФЭ-10;

– минимальные дефекты изображения (темные точки на пробельных местах, прозрачные точки на черных полях), которые не превышают 10–30 мкм;

– точность элементов выполнения рисунка ±0, 025 мм.

В большей степени перечисленным требованиям удовлетворяют сверхкон­трастные фотопластинки и пленки «Микрат-Н» (СССР), фотопластинки типа ФТ-41П (СССР), РТ-100 (Япо­ния) и Agfalit (Германия).

В настоящее время применяются два основных способа получения фо­тошаблонов: фотографирование их с фотооригиналов и вычерчивание све­товым лучом на фотопленке с помо­щью координатографов с программ­ным управлением либо лазерным лу­чом. При изготовлении фотооригина­лов рисунок ПП выполняют в увели­ченном масштабе (10: 1, 4: 1, 2: 1) на малоусадочном материале путем вы­черчивания, изготовления аппликаций или резания по эмали. Способ аппли­кации предусматривает наклеивание заранее подготовленных стандартных элементов на прозрачную основу (лав­сан, стекло и др.). Первый способ ха­рактеризуется низкой точностью и большой трудоемкостью, поэтому используется в основном для макетных образцов плат.

Резание по эмали применяют для ПП с высокой плотностью монтажа. Для этого полированное листовое стекло покрывают непрозрачным сло­ем эмали, а вырезание рисунка схемы осуществляют на координатографе с ручным управлением. Точность полу­чения рисунка 0, 03–0, 05 мм.

Изготовленный фотооригинал фо­тографируют с необходимым умень­шением на высококонтрастную фотопластину с помощью фоторепродук­ционных полиграфических камер типа ПП-12, ЭМ-513, Klimsch (Германия) и получают фотошаблоны, которые могут быть контрольными и рабочи­ми. Для тиражирования и изготовле­ния рабочих, одиночных, а также групповых фотошаблонов применяют метод контактной печати с негатив­ной копии контрольного фотошабло­на. Операция выполняется на мульти­пликаторе модели АРСМ 3.843.000 с точностью ±0, 02 мм.

Недостатки такого метода – боль­шая трудоемкость получения фото­оригинала, требующего высококвали­фицированного труда, и трудность равномерного освещения фотоориги­налов значительной площади, что снижает качество фотошаблонов.

Возрастающая сложность и плот­ность рисунка ПП, необходимость увеличения производительности труда привели к разработке метода изготов­ления фотошаблонов сканирующим лучом непосредственно на фотоплен­ке. Для изготовления фотошаблона световым лучом разработаны коорди­натографы с программным управлени­ем. С переходом на машинное проек­тирование плат необходимость вычер­чивания чертежа отпадает, так как по­лученная с ЭВМ перфолента с коор­динатами проводников вводится в считывающее устройство координато­графа, на котором автоматически вы­полняется фотошаблон.

Координатограф (рис. 2.10) состоит из вакуумного стола 8, на котором за­крепляют фотопленку, фотоголовки и блока управления /. Стол перемеща­ется с высокой точностью в двух вза­имно перпендикулярных направлени­ях с помощью прецизионных ходовых винтов 9 и 3, которые приводятся во вращение шаговыми двигателями 2 и 10. Фотоголовка включает осветитель 4, фокусирующую систему 5, круговую диафрагму 6 и фотозатвор 7. Диа­фрагма имеет набор отверстий (25– 70), оформляющих определенный эле­мент рисунка ПП, и закрепляется на валу шагового двигателя. В соответст­вии с программой работы сигналы от блока управления подаются на шаго­вые двигатели привода стола, диа­фрагмы и на осветитель. Современные координатографы (табл. 5.4) снабжа­ются системами автоматического под­держания постоянного светового ре­жима, вывода из ЭВМ информации о фотошаблонах на пленку в масштабах 1: 2; 1: 1; 2: 1; 4: 1.

 

 

Рис. 5.10. Схема координатографа.

 

 

Технология проводных плат.

 

Применение МПП экономически оправдано лишь в серийном и круп­носерийном производстве ЭА. В мел­косерийном производстве на этапе разработки опытных образцов приме­няются другие методы, основанные на оптимальном сочетании печатного и объемного монтажа. Характерной осо­бенностью таких комбинированных методов является использование ДПП, имеющих шины земли и питания, контактные площадки под навесные ЭРЭ и ИМС, металлизированные пе­реходные и монтажные отверстия. Монтаж остальных электрических це­пей осуществляют путем раскладки проводов на одной из плоскостей пла­ты и создания контактных соедине­ний с элементами ДПП путем сварки или пайки.


Поделиться:



Популярное:

Последнее изменение этой страницы: 2016-05-30; Просмотров: 1131; Нарушение авторского права страницы


lektsia.com 2007 - 2024 год. Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав! (0.112 с.)
Главная | Случайная страница | Обратная связь